中芯国际申请反熔丝结构相关专利, 提升反熔丝结构的编程效果和可靠性

金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法”的专利，公开号CN120261440A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种反熔丝结构及其形成方法、反熔丝结构的工作方法，其中反熔丝结构包括：第一晶体管结构，所述第一晶体管结构包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二晶体管结构，所述第二晶体管结构包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二源极与所述第一栅极电连接；电容结构，所述第一源极与所述电容结构电连接。增设所述第二晶体管结构，且所述第二晶体管结构的第二源极与所述第一晶体管结构的第一栅极电连接。通过控制所述第二晶体管结构工作在饱和区，使得所述第二晶体管结构的第二源极具有稳定的电压输出，以此保证所述第一晶体管结构的第一栅极的电压稳定，进而提升反熔丝结构的编程效果和可靠性。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。

本文源自：金融界